miércoles, 9 de octubre de 2013

Llevando la luz ultravioleta al extremo

Por primera vez, un grupo de investigadores ha mapeado la emisión de EUV y ha desarrollado un modelo teórico que explica cómo la emisión depende de la forma tridimensional del plasma. Además, descubrieron una fuente sin explotar de luz EV, la cual podría ser útil para varias aplicaciones incluyendo litografía de semiconductores, el proceso usado para crear circuitos integrados.

En los experimentos, explotaron una gota de estaño de 30 micrómetros de diámetros con un láser de alta potencia 6.000 veces por segundo. Midieron la distribución espacial de la emisión EV resultante y descubrieron que el 30% de la misma viene de detrás de la región de la gota que fue golpeada por el láser. De acuerdo con su modelo, esta inesperada distribución fue debida al hecho de que el plasma que rodea parcialmente la gota fue alargado en la dirección del pulso láser.

Los dispositivos que producen haces cortos de EUV para propósitos como litografía de semiconductores usan espejos para enfocar la emisión, pero hasta ahora, nadie sabía como recolectar la luz radiante EUV de detrás de la gota.

Gracias a este trabajo, los futuros dispositivos podrán explotar esta fuente de emisión anteriormente desconocida. Los nuevos experimentos también pueden tomar parte en el desarrollo de dispositivos EUV mostrando dónde deben ser colocados los espejos alrededor de la gota con el fin de recolectar y enfocar la mayor cantidad de luz EUV posible.

Via Science Newsline

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